|
Productdetails:
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
|
| Materiaal: | Lanthaanaluminaat LaO Single Crystal Wafer | Grootte: | 3inchx0.5mm, 3inchx0.6mm |
|---|---|---|---|
| Smeltingspunt (℃): | 2080 ℃ | De oppervlakte eindigt: | < 10A=""> |
| Richtlijn: | <100>,<111> | Redirection Precisie: | ±0.2° |
| Dichtheid: | 6.52 (g/cm3) | Type: | Ronde flats |
| Hoog licht: | LaO Single Crystal Wafer,0.6mm Lanthaanaluminaat,0.6mm LaO Wafer |
||
Lanthaanaluminaat LaO Single Crystal Wafer
LaAlO3 perovskite is de kristalstructuur van materialen bij de een verscheidenheid van goede rooster aanpassing epitaxial HTS dun films en het reuzemateriaal van het magneto-weerstand uitstekende substraat, zijn diëlektrische eigenschappen geschikt voor microgolf diëlektrische resonator met beperkte verliezen en toepassing van. HB is de van het het lanthaanaluminaat van de wereld grootste bestaande het enige kristalgroei van fabrikanten, kan de maandelijkse productie van 10 tot 20 kg, kan staven, bladen en knipsel het ruwe epitaxial substraat oppoetsen verstrekken om aan de diverse behoeften van de wereldmarkt te voldoen.
Ons Bedrijf:
Anhui Crystro Crystal Materials Co. , Is Ltd gespecialiseerd in onderzoek en ontwikkeling van ons kristalwetenschap en technologie,
het bedrijfswerkingsgebied concentreerde zich hoofdzakelijk in het high-tech onderzoek en de ontwikkeling van kristalmaterialen, vervaardiging en multidisciplinaire oplossingen. De dienstenindustrieën omvatten: mededelingen, ruimte, automobiel, medisch, schoonheid en andere industrieën.
Toepassingen:
Elektronische apparaten, katalyse, brandstofcel op hoge temperatuur, keramiek, behandeling van afvalwater, substraatmaterialen
Hoofdvoordelen:
Kleine diëlektrische constante; laag diëlektrisch verlies; goede rooster aanpassing; kleine thermische uitbreidingscoëfficiënt; goede chemische stabiliteit; breed energiehiaat; grote specifieke oppervlakte; bepaalde activiteit; goede thermische stabiliteit
| Major Parameters | ||
| Kristalstructuur | M6 (normale temperatuur) | M3 (>435℃) |
| De constante van de eenheidscel | M6 a = 5,357 A.c. =13.22 A | M3 a=3.821 A |
| Smeltingspunt (℃) | 2080 ℃ | |
| Dichtheid | 6.52 (g/cm3) | |
| Hardheid | 6-6.5 (mohs) | |
| Thermische uitbreiding | 9.4x10-6/℃ | |
| Diëlektrische constanten | ε=21 | |
| Snijdend verlies (10ghz) | ~3×10-4@300k, ~0.6×10-4@77k | |
| Kleur en verschijning | Om te ontharden en de voorwaarden verschillen van bruin tot bruinachtig | |
| Chemische stabiliteit | Onoplosbaar in mineraal zuur bij kamertemperatuur, oplosbare inH 3Portugal4bijtemperaturenboven150°C | |
| Kenmerken | Voor het apparaat van het microgolfelektron | |
| De groeimethode | Czochralskimethode | |
| Grootte | Grootte op verzoek | |
| Ф15, Ф20, Ф1 ″, Ф2 ″, Ф2.6 ″, Ф3″ | ||
| Dikte | 0.5mm, 1.0mm | |
| Het oppoetsen | Enig of dubbel | |
| Crystal Orientation | <100> <110> <111> | |
| redirection precisie | ±0.5° | |
| Redirection de rand: | speciaal 2° (in 1°) | |
| Hoek van kristallijn | De speciale grootte en de richtlijn zijn op verzoek beschikbaar | |
| Ra: | ≤5Å (5µm×5µm) | |
| Pak |
schone ruimte 1000, schone zak 100 of enige doos verpakking |
|
Contactpersoon: Ms. Wu
Tel.: 86-18405657612
Fax: 86-0551-63840588
