details van de producten

Huis Producten

7.09 G/Cm3 EPI Gepolijst 10x10x0,5 mm GSGG Single Crystal

7.09 G/Cm3 EPI Gepolijst 10x10x0,5 mm GSGG Single Crystal

Merknaam:	Crystro
Modelnummer:	CR200629-04
MOQ:	1pc
Leveringstermijn:	3-4weeks
Betalingsvoorwaarden:	T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Gedetailleerde informatie

Productbeschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

China

Certificering:

SGS/ROHS

Materiaal:

Pools:

EPI Gepolijst

Ruwheid van het oppervlak:

< 10A per AFM 5x5 microm gebied

De methode van de kristalgroei:

Czochralski

richtlijn:

(100), (111) +/- 0,5°

Diametertolerantie:

± 0,05 mm

Lengtetolerantie:

±0,2 mm

grootte:

Op maat

Verpakking Details:

Transparante schone doos

Levering vermogen:

5000 stuks per maand

Markeren:

GSGG enkelkristal

Gadoliniumvervangend galliumgranat

10x10x0

Productbeschrijving

7.09 G/Cm3 EPI Gepolijst 10x10x0,5 mm GSGG Single Crystal

SGGG enkelkristal, vervangen gadolinium gallium granat wordt gekweekt met de Czochralski methode.

GGG/SGGG/NGG granaten worden gebruikt voor vloeibare epitaxie.SGGG subatraten zijn speciale substraten voor magneto-optische film.In optische communicatieapparaten vereisen veel gebruik van 1.3u en 1.5u optische isolatorHet kerncomponent is YIG of BIG film geplaatst in een magnetisch veld.

SGGG-substraat is uitstekend geschikt voor het kweken van met bismut vervangen ijzergranaat epitaxiale films, is een goed materiaal voor YIG, BiYIG, GdBIG.

Het heeft goede fysische en mechanische eigenschappen en chemische stabiliteit.

Toepassing:

YIG,BIG epitaxy film;

microgolftoestellen;

GGG vervangen

Eigenschappen:

Samenstelling	(Gd2.6Ca0.4)(Ga4.1Mg0.25Zr0.65)O12
Kristallenstructuur	Koepel: a = 12,480 Å,
Moleculaire wDielectrische constante gewicht	968,096
Smeltpunt	~ 1730oC
Dichtheid	~ 7,09 g/cm3
Hardheid	~ 7,5 (mohns)
Brekingsindex	1.95
Dielectrische constante	30
tangent van dielectrische verliezen (10 GHz)	ca. 3,0 * 10_4
Kristalgroeimethode	Czochralski
Kristalgroei richting	< 111>

CRYSTRO levert GGG-kristal met:

Oriëntatie	<111> <100> binnen ±15 boogmin
Vervorming van het front van de golf	< 1/4 wave@632
Diametertolerantie	± 0,05 mm
Lange tolerantie	±0,2 mm
Chamfer	0.10mm@45o
Vlakheid	< 1/10 golf bij 633 nm
Parallelisme	< 30 boogseconden
Perpendiculariteit	< 15 boogmin
Oppervlakte kwaliteit	10/5 Schrapen/graven
Duidelijke opening	> 90%
Grote afmetingen van kristallen	2.8-76 mm in diameter

7.09 G/Cm3 EPI Gepolijst 10x10x0,5 mm GSGG Single Crystal 0

Taggen:

Details Van De Producten

Huis Producten

Substraten van enkelkristallen

7.09 G/Cm3 EPI Gepolijst 10x10x0,5 mm GSGG Single Crystal

Alle Categorieën

7.09 G/Cm3 EPI Gepolijst 10x10x0,5 mm GSGG Single Crystal

Merknaam:	Crystro
Modelnummer:	CR200629-04
MOQ:	1pc
Verpakking:	Transparante schone doos
Betalingsvoorwaarden:	T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Gedetailleerde informatie

Productbeschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

China

Merknaam:

Crystro

Certificering:

SGS/ROHS

Modelnummer:

CR200629-04

Materiaal:

GSGG

Pools:

EPI Gepolijst

Ruwheid van het oppervlak:

< 10A per AFM 5x5 microm gebied

De methode van de kristalgroei:

Czochralski

richtlijn:

(100), (111) +/- 0,5°

Diametertolerantie:

± 0,05 mm

Lengtetolerantie:

±0,2 mm

grootte:

Op maat

Min. bestelaantal:

1pc

Verpakking Details:

Transparante schone doos

Levertijd:

3-4weeks

Betalingscondities:

T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Levering vermogen:

5000 stuks per maand

Markeren:

GSGG enkelkristal

Gadoliniumvervangend galliumgranat

10x10x0

Productbeschrijving

7.09 G/Cm3 EPI Gepolijst 10x10x0,5 mm GSGG Single Crystal

SGGG enkelkristal, vervangen gadolinium gallium granat wordt gekweekt met de Czochralski methode.

SGGG-substraat is uitstekend geschikt voor het kweken van met bismut vervangen ijzergranaat epitaxiale films, is een goed materiaal voor YIG, BiYIG, GdBIG.

Het heeft goede fysische en mechanische eigenschappen en chemische stabiliteit.

Toepassing:

YIG,BIG epitaxy film;

microgolftoestellen;

GGG vervangen

Eigenschappen:

Samenstelling	(Gd2.6Ca0.4)(Ga4.1Mg0.25Zr0.65)O12
Kristallenstructuur	Koepel: a = 12,480 Å,
Moleculaire wDielectrische constante gewicht	968,096
Smeltpunt	~ 1730oC
Dichtheid	~ 7,09 g/cm3
Hardheid	~ 7,5 (mohns)
Brekingsindex	1.95
Dielectrische constante	30
tangent van dielectrische verliezen (10 GHz)	ca. 3,0 * 10_4
Kristalgroeimethode	Czochralski
Kristalgroei richting	< 111>

CRYSTRO levert GGG-kristal met:

Oriëntatie	<111> <100> binnen ±15 boogmin
Vervorming van het front van de golf	< 1/4 wave@632
Diametertolerantie	± 0,05 mm
Lange tolerantie	±0,2 mm
Chamfer	0.10mm@45o
Vlakheid	< 1/10 golf bij 633 nm
Parallelisme	< 30 boogseconden
Perpendiculariteit	< 15 boogmin
Oppervlakte kwaliteit	10/5 Schrapen/graven
Duidelijke opening	> 90%
Grote afmetingen van kristallen	2.8-76 mm in diameter

7.09 G/Cm3 EPI Gepolijst 10x10x0,5 mm GSGG Single Crystal 0

Taggen:

Magneetontstekings Optische Kristallen

Substraten van enkelkristallen

Piezo-elektrische effectkristallen

Isolator van Faraday

Scintillatiecristallen

Laserkristallen

Pockels Cell Q Switch

Andere enkelkristallen

TGG-Kristal

TSAG-kristal

GGG Crystal

LaAlO3-wafer

Q Schakelkristallen

Magneetontstekings Optische Kristallen

Substraten van enkelkristallen

Piezo-elektrische effectkristallen

Isolator van Faraday

Scintillatiecristallen

Laserkristallen

Pockels Cell Q Switch

Andere enkelkristallen

TGG-Kristal

TSAG-kristal

GGG Crystal

LaAlO3-wafer

Q Schakelkristallen

details van de producten

7.09 G/Cm3 EPI Gepolijst 10x10x0,5 mm GSGG Single Crystal

GSGG enkelkristal

Gadoliniumvervangend galliumgranat

10x10x0

Details Van De Producten

Magneetontstekings Optische Kristallen

Substraten van enkelkristallen

Piezo-elektrische effectkristallen

Isolator van Faraday

Scintillatiecristallen

Laserkristallen

Pockels Cell Q Switch

Andere enkelkristallen

TGG-Kristal

TSAG-kristal

GGG Crystal

LaAlO3-wafer

Q Schakelkristallen

7.09 G/Cm3 EPI Gepolijst 10x10x0,5 mm GSGG Single Crystal

GSGG enkelkristal

Gadoliniumvervangend galliumgranat

10x10x0