|
Productdetails:
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
|
| Plaats van herkomst: | Anhui, China | Materiaal: | Gesubstitueerde GGG (SGGG) EPI 1sp kiest Crystal Substrates uit |
|---|---|---|---|
| Diameter: | 3inch, 4inch | Richtlijn: | (100), (111) |
| Roosterconstante: | 12.497A | Dichtheid: | 7.09g/cm3 |
| Garantie:: | 1 jaar | De naverkoopdienst: | Videotechnische ondersteuning, Onlineondersteuning |
| Hoog licht: | 1sp kies Crystal Substrates uit,EPI Enig Crystal Substrates,Gesubstitueerde GGG-Substraten |
||
Gesubstitueerde GGG (SGGG) EPI 1sp kiest Crystal Substrates uit
SGGG wordt gebruikt als substraten voor vloeibare epitaxy. Het heeft substraten voor magnetisch-optische film gewijd.
| Kristaleigenschappen | ||
| De methode van de kristalgroei | Czochralski | |
| De richtlijn van de kristalgroei | (100), (111) | |
| Maximumgrootte | 3 duimdiameter | |
| Variaties | Dopands op verzoek | |
| Kristallografische eigenschappen | ||
| Kristallografische structuur | Kubiek | |
| a = 12,383 Å | ||
| a = 12,505 Å SGGG | ||
| Mineralogisch | Granaat | |
| Samenbrengende structuur | Perfect | |
| Kleur | Kleurloze/Bruinachtige SGGG | |
| Fysische eigenschappen | ||
| Dichtheid | 7.09 g/cm3 | |
| Smeltpunt | 1730 °C | |
| Hardheid | 7.5 (Mohs) | |
| Diëlektrische constante | 30 | |
| Diëlektrische verliesraaklijn (10 GHz) | ca. 3,0 * 10_4 | |
| Optische eigenschappen | ||
| Transmissiewaaier | 0,3 tot 7,0 mm | |
| Brekingsindex: | Nd = 1,9708 bij 577 NM | |
Vergelijk GGG met SGGG:
| Materiaal | GGG | SGGG |
| Chemische Formule | Gd3Ga5O12 | Gesubstitueerde GGG |
| Roosterconstante | 12.383A | 12.497A |
| De groeimethode | Czochralski | Czochralski |
| Dichtheid | 7.13g/cm3 | 7.09g/cm3 |
| Mohshardheid | 8 | 7.5 |
| Smeltpunt | 1725℃ | 1730℃ |
| R.i. | 1,954 bij 1064nm | 1,954 bij 1064nm |
Contactpersoon: Ms. Wu
Tel.: 86-18405657612
Fax: 86-0551-63840588
